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In2BP3O12:Cr3+宽带近红外荧光粉的发光性能及应用研究

In2BP3O12:Cr3+宽带近红外荧光粉的发光性能及应用研究

ISSN:0567-7351
2022年第80卷第4期
研究论文
张景荣a,b,c, 黄得财b,c,, 黄聪聪b,c, 梁思思b,c, 朱浩淼a,b,c,d, Jingrong Zhanga,b,c, Decai Huangb,c, Congcong Huangb,c, Sisi Liangb,c, Haomiao Zhua,b,c,d
a 福建师范大学 化学与材料学院 福州 350003b 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院功能纳米结构设计与组装重点实验室 福建省纳米材料重点实验室 福州 350002c 厦门稀土材料研究所 厦门市稀土光电功能材料重点实验室 厦门 361021d 中国科学院 赣江创新研究院 赣州 341000 a College of Chemistry and Materials, Fujian Normal University, Fuzhou 350003, Chinab CAS Key Laboratory of Design and Assembly of Functional Nanostructures, Fujian Key Laboratory of Nanomaterials, Fujian Institute of Research on The Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002, Chinac Xiamen Key Laboratory of Rare Earth Photoelectric Functional Materials, Xiamen Institute of Rare Earth Materials, Xiamen 361021, Chinad Ganjiang Innovation Academy, Chinese Academy of Sciences, Ganzhou 341000, China

近红外光谱技术在安防监控、食品检测、生物成像、农业等领域具有重要应用价值, 而开发出紧凑高效的近红外光源是其大规模商业应用的前提. 荧光粉转换型近红外发光二极管(light emitting diodes, LED)光源具有结构紧凑、成本低、使用寿命长、发射光谱可调等优点, 因此近些年受到广泛关注, 其关键就在于开发出能被蓝光有效激发的高性能近红外荧光粉. 本工作利用高温固相法制备了一种新型宽带近红外荧光粉 In2BP3O12:Cr3+, 在 480 nm 激发下, 荧光粉发射峰值位于 950 nm, 光谱覆盖了 750~1350 nm 范围, 半峰宽达到 210 nm. 采用该荧光粉与商用蓝光 In Ga N LED 芯片封装, 获得了具有宽带发射的近红外 LED 光源, 在 60 mA 的驱动电流下, 近红外光辐射功率为 5 mW. 当采用该光源照射人的手掌, 用近红外电感耦合器(charge coupled device, CCD)相机能够对手掌中的血管进行清晰的...

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ISSN:0567-7351
2022年第80卷第4期
研究论文

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