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PVT法碳化硅单晶生长系统的电磁学模型及其有限元分析

PVT法碳化硅单晶生长系统的电磁学模型及其有限元分析

ISSN:1003-0735
2009年第7期
研究开发
孟大磊[1],徐昊[1],王玉芳[2]
  1. 中电集团第四十六研究所,天津,300220
  2. 南开大学物理科学学院,天津,300071

本文从物理气相输运法生长碳化硅单晶的实际装置出发,对系统中的电磁感应部分建立模型,采用有限元素法对矢势进行数值分析,进而给出系统各处的焦耳热功率密度。通过分析比较发现:在5-40kHz频率范围内。电流密度相同,较高的激励电流频率所产生的热功率密度更大,从而有利于系统内能的积聚。

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ISSN:1003-0735
2009年第7期
研究开发

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