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低电压并五苯薄膜场效应晶体管

低电压并五苯薄膜场效应晶体管

ISSN:1671-5489
2004年第42卷第1期
电子科学
王 伟1, 石家纬1, 张宏梅1, 梁 昌1, 全宝富1, 郭树旭1 , 刘明大1,方俊峰2 , 马东阁2 WANG Wei1 , SHI Jia-wei1 , ZHANG Hong-mei1 , LIANG Chang1,FANG Jun-feng2 , MA Dong-ge2
1.吉林大学电子科学与工程学院, 长春 130023 2.高分子物理与化学国家重点实验室, 中国科学院长春应用化学研究所, 长春 130022 1.National Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineerig, Jilin University, Changchun 130023, China 2.Changchun Institute of Applied Chemistry,Chinese Academy of Sciences, Changchun 130022, China

利用全蒸镀法, 以并五苯作为有源层, 聚甲基丙烯酸甲 酯(PMMA)作为绝缘层, 制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT). 测试结果表明, 器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率. 对工作机理进行了探讨.

We have fabricated pentacene organic thin-film field-effect transistors (TFTs) by all-evaporation method. In this method, the active layer and the dielectric layer were fabricated by evaporation using pentacene and the poly(methylmethacrylate) (PMMA), respectively. The devices have a low operating voltage ranges and a higher mobility. The device operating mechanism has been discussed.

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ISSN:1671-5489
2004年第42卷第1期
电子科学

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