Logo 知识与财富的链接
微电子学用高纯砷烷、磷烷或硅烷混合物中痕量杂质的气相色谱分析

微电子学用高纯砷烷、磷烷或硅烷混合物中痕量杂质的气相色谱分析

ISSN:1007-7804
1986年第3期
分析技术
W.Ecknig,D.Glóckl,张执中,蔡英男,杨秀莲
中国科学院半导体研究所

介绍的分析方法是测定含有H_2或Ar的PH_3、AsH_3或SiH_4混合气中的痕量O_2、N_2、CO、CO_2和C_1~C_4的碳氢化合物。此法用化学法除去PH_3、AsH_3或SiH_4,然后用气相色谱分离,在低温下用13X分子筛富集痕最成份,再用TCD和FID检测。检测极限值估计O_2和N_2为0.5vpm;CO和CO_2为0.1vpm,碳氢化合物为0.01vpm。用同一个扑集柱进行吸附富集与解吸分离,可在同一个流程中,对所有感兴趣的痕量杂质进行分析。测量结果总的相对标准误差,估计在±22%左右。


Key words:
认领
收 藏
点 赞
认领进度
0 %

发表评论

ISSN:1007-7804
1986年第3期
分析技术

用户信息设置