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新一代存储技术:阻变存储器

新一代存储技术:阻变存储器

ISSN:0479-8023
2011年第47卷第3期
述评
王源, 贾嵩,甘学温 WANG Yuan, JIA Song, GAN Xuewen
北京大学微电子学研究院, 教育部微电子器件与电路重点实验室, 北京100871; Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits MOE, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871;

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了 RRAM 的基本结构和工作原理, 并介绍了三维集成和多值存储等 RRAM 新型技术。

Resistive random access memory(RRAM) is extensively concerned because of its excellent characteristics,namely,simple cell structure,high speed,low power and high density.The basic structure and operation principle of RRAM are presented.The promising RRAM technologies,such as 3D integration and multi-level storage,are discussed.

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ISSN:0479-8023
2011年第47卷第3期
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