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GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制

GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制

ISSN:1005-0086
2000年第11卷第1期
李宝军[1],万建军[2],李国正[2],刘恩科[2],胡冬枝[1],裴成文[1],秦捷[1],蒋最敏[1],王迅[1] LI Bao-jun[1],WAN Jian-jun[2],LI Guo-zheng[2],LIU En-ke[2],HU Dong-zhi[1],PEI Cheng-wen[1],QIN Jie[1],JIANG Zui-min[1],WANG Xun[1]
  1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
  2. 西安交通大学微电子工程系,西安,710049

基于GeSi合金的等离子体色散效应,研制了一种Mach-Zehnder干涉型调制器,通过对其损耗和调制特征的测试得到:调制器对1.3μm光的插入损耗为6.5dB,最大调制深度达85%,相应的π相移调制民压为0.9V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为40mA和0.97kA/cm^2。

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ISSN:1005-0086
2000年第11卷第1期

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